产品特点

1.基于硅烷体系薄膜沉积方案，可选TEOS 及硼磷掺杂工艺需求；
2.单腔体多工位设计，产能高；
3.独立工位温度控制，wafer 均匀性更好，膜质更佳；
4.操作系统基于Windows进行研发的符合半导体标准软件控制系统，操作人性化，符合国人操作习惯；
5.喷淋头工艺间距可直接调整，维护简单，设备利用率高；
6.向下兼容6英寸Wafer；

应用领域

主要应用于集成电路逻辑芯片、功率器件、传感器等集成电路领域，可以沉积SiO 2 、 SiN、 SiON等介质材料薄膜。