ETCH 3210
自主研发8英寸的ICP反应离子蚀刻。
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描述
产品特点
1.设备采用ICP理念设计,采用双射频源,离子水平垂直方向独立控制,蚀刻速率高,均匀性和形貌控制更换。
2.ESC 采用最新的multi-zone,coulomb型ESC,chuck wafer安全,多区域控温可更精准控制wafer温度,进一步优化蚀刻均匀性。
3.腔体内部采用coating工艺,内部parts可根据客户工艺进行配置,多种选择,损耗更低。
4.自主研发的控制系统,wafer传输更加安全高效,整机参数控制更精准。
5.绝大部分国产零部件大大降低了客户后期的维护成本。
应用领域
主要应用逻辑和存储芯片,如:CPU、GPU、SoC等。