产品特点

1.基于硅烷体系薄膜沉积方案，可选TEOS 及硼磷掺杂工艺需求；
2.双频射频系统，应力调节范围更宽；
3.毫秒级精准参数控制，工艺控制精度高；
4.操作系统基于Windows进行研发的符合半导体标准软件控制系统，操作人性化，符合国人操作习惯；
5.全自动晶圆工艺处理；
6.设备占地面积小，场地利用率高；
7.向下兼容4英寸Wafer；

应用领域

第三代半导体，功率半导体及LED芯片制造领域。